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フォトリソグラフィ用材料(フォトレジスト)

めまぐるしく進展する昨今の超微細半導体やフラットパネル製造の世界において、その製造プロセスも多様化が進み、適用可能材料の迅速な開発力が必要とされています。
弊社ではリフトオフプロセスに対応した特徴的なフォトレジスト(感光性材料)を開発しています。リフトオフプロセスは金属エッチング処理による配線加工工程が不要なメリットがあり、工程短縮や使用材料の削減に貢献します。
お客様の個別のニーズ、細かなご要望にあわせた材料開発もご相談を承ります。下記のお問合せフォームからのお問合せをお待ちしております。

2層リフトオフプロセス用下層材料 BLXシリーズ

  • 様々な上層レジストにインターミキシング無く適用可能
  • 上下層で様々な膜厚設計が可能
  • プロセス条件によりサイドエッチング量は任意に調整可能
  • 良好な剥離性
  • 既存製品の代替が可能
  • 用途例:化合物半導体、光学デバイス、RFデバイス、難エッチング材料

膜厚調整

超薄膜でのサイドエッチング量調整

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単層リフトオフプロセス用フォトレジスト NPR9700シリーズ

  • リフトオフプロセス用ポジ型レジスト
  • 露光波長域:g線~i線(ブロードバンド対応)
  • 特殊工程を用いることなく、容易に逆テーパー形状の形成が可能
  • 良好な剥離性
  • ご要望に応じた膜厚、線幅、形状等をご提案致します
  • 用途例:化合物半導体、光学デバイス、RFデバイス、難エッチング材料

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UVレーザー直描用フォトレジスト GRX-Mシリーズ

  • スピンコーター・CAPコーターでの塗工が可能。
    大型ガラス基板での良好な塗布性を有する。
  • 露光波長域:g線~i線(ブロードバンド対応)。
    レーザー描画に適している。
  • 有機・無機アルカリ現像可能
  • 組成の最適化により、レーザー直描時の大型ガラス基板上での線幅面内均一性を向上。
  • パターン形状の最適化により、メタルエッチング性を向上。
  • サイドエッチング量が少ない、優れた基板密着性。
  • 良好な剥離性
  • 用途例:液晶ディスプレイ、マスクブランクス

その他、各種特殊レジスト、及び感光性絶縁膜等の開発を行っています。お気軽にお問い合わせください。

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製品カタログ

フォトリソグラフィ材料(331KB)

本サイトおよびカタログにてご紹介している使用例は、本製品の適用結果を保証するものではありません。
ご使用の際は、用途、使用目的、条件への適合性をご評価頂きます様お願い致します。
また、ご紹介している使用例は、いかなる知的財産権にも抵触しないことを保証するものではありません。